三星展示 42 纳米 3D 堆叠 FET

📂 重要动态 · 📰 Hacker News

三星发布三纳米片通道的 3D 堆叠 FET 技术。该结构将晶体管密度提升至新高度，可能改变半导体行业竞争格局。

阅读原文